铁氧体片的工艺是怎样的？
根据铁氧体片结晶构造和形态，制备工艺大致分为：多晶铁氧体生产工艺；铁氧体化学工艺；单晶铁氧体制造工艺及其他特种工艺，如铁氧体多晶薄膜和非晶铁氧体等。
多晶铁氧体生产工艺
类似陶瓷工业中常用的烧结过程，包括如下步骤：经固相反应形成铁氧体的金属氧化物或碳酸盐或其他化合物，在混合均匀之后，经球磨、干燥，压成特定的形状。在大约1000°c的温度下进行预烧后，再一次充分研磨和混合。加入适量的粘合剂，压成所要求的形状或者作为塑性物质挤压成管状、棒状或条状。然后在1200～1400°c温度下烧结，准确的温度取决于所需的铁氧体特性。在最后的烧结过程中，炉膛中的环境条件起有重要的作用。
铁氧体化学工艺
亦称湿法工艺，有时还称为化学共沉淀法。专门制备较高性能铁氧体的工艺方法，又可分成中和法和氧化法。其过程是：先将制备铁氧体时所需的金属元素，配制成一定浓度的离子溶液，然后根据配方取适量溶液进行混合，通过中和或氧化等化学反应生成铁氧体粉末，其后工艺过程与前面介绍的相同。
单晶铁氧体片制造工艺
与非金属单晶生长大致相同。mn-zn和ni-zn系铁氧体单晶生长一般是采用布里兹曼法，即把多晶铁氧体放入铂坩埚里熔融后，在适当的温度梯度电炉中使坩埚下降，从坩埚底部慢慢固化生成单晶。为了使熔融状态下形成的氧分压达到平衡，晶体生长时在炉膛内需要加几个乃至100个mpa的氧分压。
铁氧体多晶薄膜的制备
如垂直磁化的钡铁氧体薄膜，采用新型的对向靶溅射装置进行溅射。制备石榴石单晶薄膜，多采用在单晶基板上进行气相或液相外延法，其具体工艺过程同半导体单晶薄膜的外延方法极为相近。
非晶铁氧体的制备
当前是采用超急冷方法和溅射法，所谓超急冷法即把铁氧体原料和适量的类金属元素混合后，在高温熔融状态下，骤然施行大温度梯度的超急冷却的方法。这方面的研究工作刚刚开始，制品的性能还不甚理想。
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